
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.268303 | ¥3804.91 |
| 6000 | ¥1.165331 | ¥6991.99 |
| 9000 | ¥1.112867 | ¥10015.80 |
| 15000 | ¥1.053963 | ¥15809.44 |
| 21000 | ¥1.031929 | ¥21670.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 0.44 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.8 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5801TRPBF SP001570104
单位重量 20 mg
购物车
0IRF5801TRPBF
型号:IRF5801TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.268303 |
| 6000+: | ¥1.165331 |
| 9000+: | ¥1.112867 |
| 15000+: | ¥1.053963 |
| 21000+: | ¥1.031929 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00