货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.232747 | ¥7.23 |
10 | ¥6.272537 | ¥62.73 |
100 | ¥4.344637 | ¥434.46 |
500 | ¥3.630091 | ¥1815.05 |
1000 | ¥3.089506 | ¥3089.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 0.44 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.8 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5801TRPBF SP001570104
单位重量 20 mg
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0IRF5801TRPBF
型号:IRF5801TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.232747 |
10+: | ¥6.272537 |
100+: | ¥4.344637 |
500+: | ¥3.630091 |
1000+: | ¥3.089506 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.23