SI7120ADN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7120ADN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：4155
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.996178 | ￥22.00 |
| 10 | ￥19.703805 | ￥197.04 |
| 100 | ￥15.360222 | ￥1536.02 |
| 500 | ￥12.688879 | ￥6344.44 |
| 1000 | ￥10.017536 | ￥10017.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9.5 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 35 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SI7120ADN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7120ADN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
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数据手册PDF。
SI7120ADN-T1-GE3
型号：SI7120ADN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4155 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.996178 |
| 10+： | ￥19.703805 |
| 100+： | ￥15.360222 |
| 500+： | ￥12.688879 |
| 1000+： | ￥10.017536 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.00