
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.866302 | ¥18.87 |
| 10 | ¥16.811685 | ¥168.12 |
| 100 | ¥13.109495 | ¥1310.95 |
| 500 | ¥10.829776 | ¥5414.89 |
| 1000 | ¥8.549924 | ¥8549.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 28.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 69.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR632DP-T1-RE3
型号:SIR632DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.866302 |
| 10+: | ¥16.811685 |
| 100+: | ¥13.109495 |
| 500+: | ¥10.829776 |
| 1000+: | ¥8.549924 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.87