货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.454479 | ¥16.45 |
10 | ¥14.662519 | ¥146.63 |
100 | ¥11.43361 | ¥1143.36 |
500 | ¥9.445324 | ¥4722.66 |
1000 | ¥7.456922 | ¥7456.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 28.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 69.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR632DP-T1-RE3
型号:SIR632DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.454479 |
10+: | ¥14.662519 |
100+: | ¥11.43361 |
500+: | ¥9.445324 |
1000+: | ¥7.456922 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.45