
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.607558 | ¥26.61 |
| 10 | ¥23.89108 | ¥238.91 |
| 100 | ¥19.20202 | ¥1920.20 |
| 500 | ¥15.776192 | ¥7888.10 |
| 1000 | ¥13.071695 | ¥13071.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD90N04S4-03 SP000671630
单位重量 330 mg
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0IPD90N04S403ATMA1
型号:IPD90N04S403ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.607558 |
| 10+: | ¥23.89108 |
| 100+: | ¥19.20202 |
| 500+: | ¥15.776192 |
| 1000+: | ¥13.071695 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.61