STL19N65M5
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- 制造商编号：
- STL19N65M5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：6
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6 | ￥15.018305 | ￥90.11 |
| 20 | ￥11.263712 | ￥225.27 |
| 50 | ￥9.010983 | ￥450.55 |
| 100 | ￥8.260051 | ￥826.01 |
| 1000 | ￥7.509187 | ￥7509.19 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL19N65M5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ V
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
240mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1240pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
STL19N65M5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL19N65M5
型号：STL19N65M5
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6+： | ￥15.018305 |
| 20+： | ￥11.263712 |
| 50+： | ￥9.010983 |
| 100+： | ￥8.260051 |
| 1000+： | ￥7.509187 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00