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数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.900335 | ¥2701.01 |
6000 | ¥0.845798 | ¥5074.79 |
15000 | ¥0.791189 | ¥11867.84 |
30000 | ¥0.7257 | ¥21771.00 |
75000 | ¥0.698468 | ¥52385.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 2.02 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 0.6 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN3016LFDE-7
型号:DMN3016LFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.900335 |
6000+: | ¥0.845798 |
15000+: | ¥0.791189 |
30000+: | ¥0.7257 |
75000+: | ¥0.698468 |
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