MUN5213DW1T3G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.058399 | ￥0.06 |
| 10 | ￥0.057042 | ￥0.57 |
| 30 | ￥0.056138 | ￥1.68 |
| 100 | ￥0.055234 | ￥5.52 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 47 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
耗散功率 187 mW, 256 mW
集电极—基极电压 50 V
直流电流增益（Max） 140
外形参数
高度 0.95 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
类型 Dual Bias Resistor Transistor
单位重量 6 mg
MUN5213DW1T3G 同类别型号
注
MUN5213DW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5213DW1T3G
数据手册PDF。
MUN5213DW1T3G
型号：MUN5213DW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.058399 |
| 10+： | ￥0.057042 |
| 30+： | ￥0.056138 |
| 100+： | ￥0.055234 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.06