货期:国内(1~3工作日)
起订量:750
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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750 | ¥3.814737 | ¥2861.05 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 73 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.45 V
栅极电荷 25.7 nC
耗散功率 54.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 17.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.8 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0NTD4858N-35G
型号:NTD4858N-35G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
750+: | ¥3.814737 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00