CSD16327Q3T
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- 制造商编号：
- CSD16327Q3T
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- CSD16327Q3T
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥11.747116 | ￥2936.78 |
| 500 | ￥10.381282 | ￥5190.64 |
| 1000 | ￥8.195749 | ￥8195.75 |
| 2000 | ￥7.947391 | ￥15894.78 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
正向跨导（Min） 96 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44.500 mg
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注
CSD16327Q3T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD16327Q3T
数据手册PDF
。
CSD16327Q3T
型号：CSD16327Q3T
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥11.747116 |
| 500+： | ￥10.381282 |
| 1000+： | ￥8.195749 |
| 2000+： | ￥7.947391 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00