货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥52.270252 | ¥52.27 |
10 | ¥47.230739 | ¥472.31 |
100 | ¥39.102682 | ¥3910.27 |
500 | ¥34.050136 | ¥17025.07 |
1000 | ¥29.656501 | ¥29656.50 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 94 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 580 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 79 ns
正向跨导(Min) 39 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP90N20DPBF SP001552070
单位重量 6 g
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0IRFP90N20DPBF
型号:IRFP90N20DPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥52.270252 |
10+: | ¥47.230739 |
100+: | ¥39.102682 |
500+: | ¥34.050136 |
1000+: | ¥29.656501 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥52.27