
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.889956 | ¥29.89 |
| 10 | ¥26.90096 | ¥269.01 |
| 100 | ¥21.625451 | ¥2162.55 |
| 500 | ¥17.767582 | ¥8883.79 |
| 1000 | ¥14.721836 | ¥14721.84 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD35N10-26P-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SUD35N10-26P-GE3
型号:SUD35N10-26P-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.889956 |
| 10+: | ¥26.90096 |
| 100+: | ¥21.625451 |
| 500+: | ¥17.767582 |
| 1000+: | ¥14.721836 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.89