货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥24.547615 | ¥24.55 |
10 | ¥20.398196 | ¥203.98 |
100 | ¥16.231333 | ¥1623.13 |
500 | ¥13.734454 | ¥6867.23 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB144N12N3 G SP000694166
单位重量 4 g
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0IPB144N12N3GATMA1
型号:IPB144N12N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.547615 |
10+: | ¥20.398196 |
100+: | ¥16.231333 |
500+: | ¥13.734454 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.55