货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.068896 | ¥26.07 |
10 | ¥23.462005 | ¥234.62 |
100 | ¥18.860905 | ¥1886.09 |
500 | ¥15.496217 | ¥7748.11 |
1000 | ¥12.839832 | ¥12839.83 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD35N10-26P-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SUD35N10-26P-GE3
型号:SUD35N10-26P-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.068896 |
10+: | ¥23.462005 |
100+: | ¥18.860905 |
500+: | ¥15.496217 |
1000+: | ¥12.839832 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.07