货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.632755 | ¥4898.26 |
6000 | ¥1.546805 | ¥9280.83 |
9000 | ¥1.432206 | ¥12889.85 |
30000 | ¥1.418061 | ¥42541.83 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 7.1 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL606SN H6327 SP000691164
单位重量 20 mg
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0BSL606SNH6327XTSA1
型号:BSL606SNH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.632755 |
6000+: | ¥1.546805 |
9000+: | ¥1.432206 |
30000+: | ¥1.418061 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00