
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.000907 | ¥9.00 |
| 10 | ¥7.643628 | ¥76.44 |
| 100 | ¥5.309107 | ¥530.91 |
| 500 | ¥4.14499 | ¥2072.49 |
| 1000 | ¥3.369055 | ¥3369.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 7.1 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL606SN H6327 SP000691164
单位重量 20 mg
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0BSL606SNH6327XTSA1
型号:BSL606SNH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.000907 |
| 10+: | ¥7.643628 |
| 100+: | ¥5.309107 |
| 500+: | ¥4.14499 |
| 1000+: | ¥3.369055 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.00