货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.335904 | ¥42.34 |
10 | ¥38.006407 | ¥380.06 |
100 | ¥31.138126 | ¥3113.81 |
500 | ¥26.50762 | ¥13253.81 |
1000 | ¥22.355824 | ¥22355.82 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 54 ns
上升时间 60 ns
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB33N60E-GE3
型号:SIHB33N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.335904 |
10+: | ¥38.006407 |
100+: | ¥31.138126 |
500+: | ¥26.50762 |
1000+: | ¥22.355824 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.34