
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.295113 | ¥24.30 |
| 10 | ¥21.811311 | ¥218.11 |
| 100 | ¥17.530485 | ¥1753.05 |
| 500 | ¥14.402797 | ¥7201.40 |
| 1000 | ¥11.933651 | ¥11933.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 10.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27.5 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0ZXMN10A09KTC
型号:ZXMN10A09KTC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.295113 |
| 10+: | ¥21.811311 |
| 100+: | ¥17.530485 |
| 500+: | ¥14.402797 |
| 1000+: | ¥11.933651 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.30