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起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥1.928549 | ¥96.43 |
100 | ¥1.84821 | ¥184.82 |
300 | ¥1.767871 | ¥530.36 |
500 | ¥1.687533 | ¥843.77 |
1000 | ¥1.607194 | ¥1607.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 9.1 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
上升时间 5.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMT5015LFDF-13
型号:DMT5015LFDF-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
50+: | ¥1.928549 |
100+: | ¥1.84821 |
300+: | ¥1.767871 |
500+: | ¥1.687533 |
1000+: | ¥1.607194 |
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