货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.263212 | ¥6.26 |
50 | ¥5.058084 | ¥252.90 |
100 | ¥4.008456 | ¥400.85 |
500 | ¥3.397396 | ¥1698.70 |
1000 | ¥2.767548 | ¥2767.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37.2 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMT6009LCT
型号:DMT6009LCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.263212 |
50+: | ¥5.058084 |
100+: | ¥4.008456 |
500+: | ¥3.397396 |
1000+: | ¥2.767548 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.26