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DMT6009LCT

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT6009LCT
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.263212 6.26
50 5.058084 252.90
100 4.008456 400.85
500 3.397396 1698.70
1000 2.767548 2767.55

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 37.2 A

漏源电阻 12 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 33.5 nC

耗散功率 25 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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DMT6009LCT

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型号:DMT6009LCT

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.263212
50+: ¥5.058084
100+: ¥4.008456
500+: ¥3.397396
1000+: ¥2.767548

货期:1-2天

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