
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.121153 | ¥5.12 |
| 50 | ¥4.135772 | ¥206.79 |
| 100 | ¥3.277538 | ¥327.75 |
| 500 | ¥2.777902 | ¥1388.95 |
| 1000 | ¥2.262902 | ¥2262.90 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37.2 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMT6009LCT
型号:DMT6009LCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.121153 |
| 50+: | ¥4.135772 |
| 100+: | ¥3.277538 |
| 500+: | ¥2.777902 |
| 1000+: | ¥2.262902 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.12