
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.105448 | ¥6.11 |
| 10 | ¥5.461295 | ¥54.61 |
| 100 | ¥4.25981 | ¥425.98 |
| 500 | ¥3.519091 | ¥1759.55 |
| 1000 | ¥2.778203 | ¥2778.20 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 171 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导(Min) 307 S
上升时间 142 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLB8314PBF SP001572766
单位重量 2 g
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0IRLB8314PBF
型号:IRLB8314PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.105448 |
| 10+: | ¥5.461295 |
| 100+: | ¥4.25981 |
| 500+: | ¥3.519091 |
| 1000+: | ¥2.778203 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.11