MUN5132DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.298441 | ￥0.30 |
| 200 | ￥0.115493 | ￥23.10 |
| 500 | ￥0.111434 | ￥55.72 |
| 1000 | ￥0.109428 | ￥109.43 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 4.7 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 15
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 250 mW
直流电流增益（Max） 15 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 28 mg
MUN5132DW1T1G 同类别型号
注
MUN5132DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5132DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5132DW1T1G
型号：MUN5132DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.298441 |
| 200+： | ￥0.115493 |
| 500+： | ￥0.111434 |
| 1000+： | ￥0.109428 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.30