货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥63.983389 | ¥63.98 |
10 | ¥57.817966 | ¥578.18 |
100 | ¥47.867658 | ¥4786.77 |
500 | ¥41.682507 | ¥20841.25 |
1000 | ¥36.304135 | ¥36304.14 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 9.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 71 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP110N20N3 G SP000677892
单位重量 2 g
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0IPP110N20N3GXKSA1
型号:IPP110N20N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥63.983389 |
10+: | ¥57.817966 |
100+: | ¥47.867658 |
500+: | ¥41.682507 |
1000+: | ¥36.304135 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥63.98