
货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ¥2.194664 | ¥10973.32 |
| 10000 | ¥2.112138 | ¥21121.38 |
| 25000 | ¥2.046177 | ¥51154.43 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.2 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ036NE2LS SP000854572
单位重量 112.430 mg
购物车
0BSZ036NE2LSATMA1
型号:BSZ036NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 5000+: | ¥2.194664 |
| 10000+: | ¥2.112138 |
| 25000+: | ¥2.046177 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00