
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1500 | ¥1.496269 | ¥2244.40 |
| 3000 | ¥1.355976 | ¥4067.93 |
| 7500 | ¥1.262467 | ¥9468.50 |
| 10500 | ¥1.21574 | ¥12765.27 |
| 37500 | ¥1.17339 | ¥44002.13 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 18 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 18.5 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 29.570 mg
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0NVTFS6H888NTAG
型号:NVTFS6H888NTAG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1500+: | ¥1.496269 |
| 3000+: | ¥1.355976 |
| 7500+: | ¥1.262467 |
| 10500+: | ¥1.21574 |
| 37500+: | ¥1.17339 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00