
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.936121 | ¥20.94 |
| 10 | ¥18.670249 | ¥186.70 |
| 100 | ¥14.55988 | ¥1455.99 |
| 500 | ¥12.027934 | ¥6013.97 |
| 1000 | ¥9.495725 | ¥9495.73 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 35.8 A
漏源电阻 31.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD90330E-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SUD90330E-GE3
型号:SUD90330E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.936121 |
| 10+: | ¥18.670249 |
| 100+: | ¥14.55988 |
| 500+: | ¥12.027934 |
| 1000+: | ¥9.495725 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.94