货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.259697 | ¥18.26 |
10 | ¥16.28349 | ¥162.83 |
100 | ¥12.698579 | ¥1269.86 |
500 | ¥10.490311 | ¥5245.16 |
1000 | ¥8.281813 | ¥8281.81 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 35.8 A
漏源电阻 31.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD90330E-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SUD90330E-GE3
型号:SUD90330E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.259697 |
10+: | ¥16.28349 |
100+: | ¥12.698579 |
500+: | ¥10.490311 |
1000+: | ¥8.281813 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.26