RQ3E100ATTB
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- 制造商编号：
- RQ3E100ATTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT
- 渠道：
- digikey
库存 ：2892
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 11.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 123.267 mg
RQ3E100ATTB 同类别型号
注
RQ3E100ATTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RQ3E100ATTB
数据手册PDF。
RQ3E100ATTB
型号：RQ3E100ATTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2892 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00