NTMS10P02R2G
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- 制造商编号：
- NTMS10P02R2G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.262258 | ￥13155.65 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns, 125 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 40 ns, 100 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns, 110 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
NTMS10P02R2G 同类别型号
注
NTMS10P02R2G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTMS10P02R2G
数据手册PDF。
NTMS10P02R2G
型号：NTMS10P02R2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.262258 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00