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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导(Min) 19 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7439DP-E3
单位重量 506.600 mg
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0SI7439DP-T1-E3
型号:SI7439DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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