
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥44.156431 | ¥44.16 |
| 10 | ¥39.887976 | ¥398.88 |
| 100 | ¥33.023915 | ¥3302.39 |
| 500 | ¥28.757046 | ¥14378.52 |
| 1000 | ¥25.046434 | ¥25046.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 517 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4868PBF SP001556792
单位重量 6 g
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0IRFP4868PBF
型号:IRFP4868PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥44.156431 |
| 10+: | ¥39.887976 |
| 100+: | ¥33.023915 |
| 500+: | ¥28.757046 |
| 1000+: | ¥25.046434 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.16