货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.837535 | ¥18.84 |
10 | ¥16.872884 | ¥168.73 |
100 | ¥13.565338 | ¥1356.53 |
500 | ¥11.145581 | ¥5572.79 |
1000 | ¥9.235016 | ¥9235.02 |
2000 | ¥8.598122 | ¥17196.24 |
制造商 Infineon
商标名 DirectFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.7 mm
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6712STRPBF SP001529206
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6712STRPBF
型号:IRF6712STRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.837535 |
10+: | ¥16.872884 |
100+: | ¥13.565338 |
500+: | ¥11.145581 |
1000+: | ¥9.235016 |
2000+: | ¥8.598122 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.84