STB42N65M5
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- 制造商编号：
- STB42N65M5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：4916
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥161.080081 | ￥161.08 |
| 10 | ￥145.538758 | ￥1455.39 |
| 25 | ￥138.764044 | ￥3469.10 |
| 100 | ￥115.073797 | ￥11507.38 |
| 250 | ￥108.30475 | ￥27076.19 |
| 500 | ￥101.535703 | ￥50767.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB42N65M5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ V
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
79mOhm @ 16.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4650pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB42N65M5 同类别型号
注
STB42N65M5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STB42N65M5
数据手册PDF。
STB42N65M5
型号：STB42N65M5
品牌：ST
供货：锐单
库存：4916 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥161.080081 |
| 10+： | ￥145.538758 |
| 25+： | ￥138.764044 |
| 100+： | ￥115.073797 |
| 250+： | ￥108.30475 |
| 500+： | ￥101.535703 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥161.08