货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.229962 | ¥29.23 |
10 | ¥24.229774 | ¥242.30 |
100 | ¥19.281826 | ¥1928.18 |
500 | ¥16.315296 | ¥8157.65 |
1000 | ¥13.843312 | ¥13843.31 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJ410EP-T1_GE3
型号:SQJ410EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.229962 |
10+: | ¥24.229774 |
100+: | ¥19.281826 |
500+: | ¥16.315296 |
1000+: | ¥13.843312 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.23