SQJ410EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ410EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.514357 | ￥33.51 |
| 10 | ￥27.781264 | ￥277.81 |
| 100 | ￥22.108068 | ￥2210.81 |
| 500 | ￥18.706718 | ￥9353.36 |
| 1000 | ￥15.872401 | ￥15872.40 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ410EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ410EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ410EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ410EP-T1_GE3
型号：SQJ410EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.514357 |
| 10+： | ￥27.781264 |
| 100+： | ￥22.108068 |
| 500+： | ￥18.706718 |
| 1000+： | ￥15.872401 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.51