货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥59.563505 | ¥59.56 |
50 | ¥47.538311 | ¥2376.92 |
100 | ¥42.533823 | ¥4253.38 |
500 | ¥37.529912 | ¥18764.96 |
1000 | ¥33.776906 | ¥33776.91 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 61 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP200N25N3 G SP000677894
单位重量 2 g
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0IPP200N25N3GXKSA1
型号:IPP200N25N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥59.563505 |
50+: | ¥47.538311 |
100+: | ¥42.533823 |
500+: | ¥37.529912 |
1000+: | ¥33.776906 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥59.56