货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.713508 | ¥5140.52 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.35 nC
耗散功率 1.66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2316BDS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2316BDS-T1-GE3
型号:SI2316BDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.713508 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00