货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.324312 | ¥9.32 |
10 | ¥8.345549 | ¥83.46 |
100 | ¥6.509064 | ¥650.91 |
500 | ¥5.376943 | ¥2688.47 |
1000 | ¥4.716596 | ¥4716.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS60R360PFD7S SP003965460
单位重量 340 mg
购物车
0IPS60R360PFD7SAKMA1
型号:IPS60R360PFD7SAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.324312 |
10+: | ¥8.345549 |
100+: | ¥6.509064 |
500+: | ¥5.376943 |
1000+: | ¥4.716596 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.32