CSD23203W
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- 制造商编号：
- CSD23203W
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
CSD23203W 同类别型号
注
CSD23203W品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD23203W
数据手册PDF
。
CSD23203W
型号：CSD23203W
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00