货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥64.250065 | ¥64.25 |
10 | ¥58.014648 | ¥580.15 |
100 | ¥48.033068 | ¥4803.31 |
500 | ¥41.826722 | ¥20913.36 |
1000 | ¥36.429787 | ¥36429.79 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 103 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 2.7 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT3120AL
单位重量 6 g
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0SCT3120ALGC11
型号:SCT3120ALGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥64.250065 |
10+: | ¥58.014648 |
100+: | ¥48.033068 |
500+: | ¥41.826722 |
1000+: | ¥36.429787 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥64.25