货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥55.033973 | ¥55.03 |
30 | ¥43.925053 | ¥1317.75 |
120 | ¥39.300824 | ¥4716.10 |
510 | ¥34.677032 | ¥17685.29 |
1020 | ¥31.209329 | ¥31833.52 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 103 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 2.7 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT3120AL
单位重量 6 g
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0SCT3120ALGC11
型号:SCT3120ALGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥55.033973 |
30+: | ¥43.925053 |
120+: | ¥39.300824 |
510+: | ¥34.677032 |
1020+: | ¥31.209329 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥55.03