SI7431DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7431DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥56.862018 | ￥56.86 |
| 10 | ￥51.078498 | ￥510.78 |
| 100 | ￥41.844329 | ￥4184.43 |
| 500 | ￥35.621484 | ￥17810.74 |
| 1000 | ￥30.042332 | ￥30042.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 147 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 66 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 49 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 23 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7431DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7431DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7431DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7431DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7431DP-T1-GE3
型号：SI7431DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥56.862018 |
| 10+： | ￥51.078498 |
| 100+： | ￥41.844329 |
| 500+： | ￥35.621484 |
| 1000+： | ￥30.042332 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥56.86