
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥4.236557 | ¥1059.14 |
| 500 | ¥3.890456 | ¥1945.23 |
| 750 | ¥3.712733 | ¥2784.55 |
| 1250 | ¥3.511903 | ¥4389.88 |
| 1750 | ¥3.392453 | ¥5936.79 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 9.2 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
正向跨导(Min) 121 S
上升时间 16.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 43.700 mg
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0CSD16340Q3T
型号:CSD16340Q3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥4.236557 |
| 500+: | ¥3.890456 |
| 750+: | ¥3.712733 |
| 1250+: | ¥3.511903 |
| 1750+: | ¥3.392453 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00