货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.738591 | ¥26.74 |
10 | ¥22.16194 | ¥221.62 |
100 | ¥17.635034 | ¥1763.50 |
500 | ¥14.922373 | ¥7461.19 |
1000 | ¥12.661408 | ¥12661.41 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 252 A
漏源电阻 1.15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 134 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 143 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NVMYS1D3N04CTWG
型号:NVMYS1D3N04CTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.738591 |
10+: | ¥22.16194 |
100+: | ¥17.635034 |
500+: | ¥14.922373 |
1000+: | ¥12.661408 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.74