
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.00253 | ¥20.00 |
| 10 | ¥12.607657 | ¥126.08 |
| 100 | ¥8.332873 | ¥833.29 |
| 500 | ¥6.497793 | ¥3248.90 |
| 1000 | ¥5.907112 | ¥5907.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 265 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR120NTRPBF SP001574026
单位重量 330 mg
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0IRLR120NTRPBF
型号:IRLR120NTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.00253 |
| 10+: | ¥12.607657 |
| 100+: | ¥8.332873 |
| 500+: | ¥6.497793 |
| 1000+: | ¥5.907112 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.00