货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.226445 | ¥17.23 |
10 | ¥15.437545 | ¥154.38 |
100 | ¥12.035986 | ¥1203.60 |
500 | ¥9.942574 | ¥4971.29 |
1000 | ¥7.849297 | ¥7849.30 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 265 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR120NTRPBF SP001574026
单位重量 330 mg
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0IRLR120NTRPBF
型号:IRLR120NTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.226445 |
10+: | ¥15.437545 |
100+: | ¥12.035986 |
500+: | ¥9.942574 |
1000+: | ¥7.849297 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.23