
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥3.128744 | ¥9386.23 |
| 6000 | ¥2.969729 | ¥17818.37 |
| 9000 | ¥2.757564 | ¥24818.08 |
| 30000 | ¥2.693987 | ¥80819.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 134 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
购物车
0RSQ020N03HZGTR
型号:RSQ020N03HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥3.128744 |
| 6000+: | ¥2.969729 |
| 9000+: | ¥2.757564 |
| 30000+: | ¥2.693987 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00