
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥60.606368 | ¥60.61 |
| 10 | ¥54.747379 | ¥547.47 |
| 100 | ¥45.325946 | ¥4532.59 |
| 500 | ¥39.469197 | ¥19734.60 |
| 1000 | ¥34.376414 | ¥34376.41 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 182 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 203 nC
耗散功率 556 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 97 ns
正向跨导(Min) 142 S
上升时间 96 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 77 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF200P222 SP001582092
单位重量 6 g
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0IRF200P222
型号:IRF200P222
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥60.606368 |
| 10+: | ¥54.747379 |
| 100+: | ¥45.325946 |
| 500+: | ¥39.469197 |
| 1000+: | ¥34.376414 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥60.61