
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.28665 | ¥9.29 |
| 10 | ¥7.929371 | ¥79.29 |
| 100 | ¥5.514843 | ¥551.48 |
| 500 | ¥4.306148 | ¥2153.07 |
| 1000 | ¥3.500068 | ¥3500.07 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 134 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSQ020N03HZGTR
型号:RSQ020N03HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.28665 |
| 10+: | ¥7.929371 |
| 100+: | ¥5.514843 |
| 500+: | ¥4.306148 |
| 1000+: | ¥3.500068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.29