货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥31.480222 | ¥1574.01 |
100 | ¥27.282859 | ¥2728.29 |
250 | ¥25.883738 | ¥6470.93 |
500 | ¥23.225408 | ¥11612.70 |
1250 | ¥20.986815 | ¥26233.52 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 312 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18536KTTT
型号:CSD18536KTTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
50+: | ¥31.480222 |
100+: | ¥27.282859 |
250+: | ¥25.883738 |
500+: | ¥23.225408 |
1250+: | ¥20.986815 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00