
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.942422 | ¥23.94 |
| 10 | ¥21.519846 | ¥215.20 |
| 25 | ¥20.304307 | ¥507.61 |
| 100 | ¥15.837417 | ¥1583.74 |
| 250 | ¥15.431953 | ¥3857.99 |
| 500 | ¥13.401239 | ¥6700.62 |
| 1000 | ¥11.37081 | ¥11370.81 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD90N03S4L-02 SP000273284
单位重量 330 mg
购物车
0IPD90N03S4L02ATMA1
型号:IPD90N03S4L02ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.942422 |
| 10+: | ¥21.519846 |
| 25+: | ¥20.304307 |
| 100+: | ¥15.837417 |
| 250+: | ¥15.431953 |
| 500+: | ¥13.401239 |
| 1000+: | ¥11.37081 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.94