CSD18536KTTT
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- 制造商编号：
- CSD18536KTTT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥73.411158 | ￥73.41 |
| 10 | ￥65.977284 | ￥659.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 312 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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注
CSD18536KTTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18536KTTT
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。
CSD18536KTTT
型号：CSD18536KTTT
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥73.411158 |
| 10+： | ￥65.977284 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥73.41