货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.903904 | ¥19.90 |
10 | ¥16.518788 | ¥165.19 |
100 | ¥13.1482 | ¥1314.82 |
500 | ¥11.125266 | ¥5562.63 |
1000 | ¥9.439609 | ¥9439.61 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 91 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB38N20DPBF SP001556010
单位重量 2 g
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0IRFB38N20DPBF
型号:IRFB38N20DPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.903904 |
10+: | ¥16.518788 |
100+: | ¥13.1482 |
500+: | ¥11.125266 |
1000+: | ¥9.439609 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.90